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光电探测器—光敏电阻受到光照的半导体的电导率σ发生变化或产生光生电动势的现象称为内光电效应。
由于光照而引起半导体的电导率σ发生变化的现象称为光电导效应。
利用光电导效应原理而工作的探测器称为光电导探测器作为半导体材料的一种体效应,光电导效应无须形成p-n结。
光照越强,光电导材料的电阻率越小,故光电导材料又称为光敏电阻。
光电导效应光电导效应导带电子本征光电导1.24（m）cEg(eV)价带Eg空穴杂质光电导1.24（m）cEi(eV)导带电子Ei施主空穴价带光电导效应在外电场E作用下，载流子产生漂移运动，漂移速度v和电场强度E之比定义为迁移率lvvEVnn电子n空穴lvvEVppp式中V为外电压，l为电压方向的半导体长度。
载流子的漂移运动效果用半导体的电导率来描述，定义为ennepp式中e是电子电荷量GAl如果半导体的截面是A，则电导G为光电转换原理光光功率在材料内部沿x方向的变化率为P(x)Pex(1R)为光电导材料的吸收系数，R为表面反射率光生电流密度Jevnn(x)流过电极的总电流iJWdxevnWn(x)dx00HHLxH。
Wu利用稳态下电子产生率和复合率相等即可求出n(x),求得x式中'（1-R）edx为有效量子效率，MoHe'iM
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