二极管伏安特性实验结论怎么写
不知道你的实验室怎的，一般说给二极管加正向<0.7V时，电流随电化较缓慢，压超过0.7V时，电流随电压变化很快。
加反向电压，不同的二极管有不同的稳压特性，在达到击穿电压之前，几乎没有电流通过，当反向电压加大到击穿电压，电流突然增大到很大，且二极管两端电压基本不变，这就是二极管的稳压特性以上就是伏安特性了
物理实验伏安法测二极管的特性报告怎么写
半导体二极管最重要的特性是单向导电性。
即当外加正向电压时，它呈现的电阻（正向电阻）比较小，通过的电流比较大，当外加反向电压时，它呈现的电阻（反向电阻）很大，通过的电流很小（通常可以忽略不计）。
反映二极管的电流随电压变化的关系曲线，叫做二极管的伏安特性，如图10－2所示。
图10－2中右上方为正向伏安特性，左下方为反向伏安特性。
当外加正向电压时，随着电压U的逐渐增加，电流I也增加。
但在开始的一段，由于外加电压很低。
外电场不能克服PN结的内电场，半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层，所以这时的正向电流极小（见曲线的OA段，该段所对应的电压称为死区电压，硅管的死区电压约为0～0．5伏，锗管的死区电压约为0～0．2伏）。
当外加电压超过死区电压以后，外电场强于PN结的内电场，多数载流子大量通过阻挡层，使正向电流随电压很快增长（曲线中的AB段）。
当外加反向电压时，所加的反向电压加强了内电场对多数载流子的阻挡，所以二极管中几乎没有电流通过。
但是这时的外电场能促使少数载流子漂移，所以少数载流子形成很小的反向电流（曲线中的OC段）。
由于少数载流子数量有限，只要加不大的反向电压就可以使全部少数载流子越过PN结而形成反向饱和电流，继续升高反向电压时反向电流几乎不再增大（曲线中的CD段）。
当反向电压增大到某一值（曲线中的D点）以后，反向电流会突然增大，这种现象叫反向击穿，这时二极管失去单向导电性。
所以一般二极管在电路中工作时，其反向电压任何时候都必须小于其反向击穿时的电压。
二极管的伏安特性
二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。
Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。
当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。
当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。
导通时二极管的正向压降变化不大，硅管约为0.6～0.8V，锗管约为0.2～0.3V。
温度上升，死区电压和正向压降均相应降低。
UBR称为反向击穿电压，当外加反向电压低于UBR时，二极管处于反向截止区，反向电流几乎为零，但温度上升，反向电流会有增长。
当外加反向电压超过UBR后，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为击穿。
普通二极管被击穿后，由于反向电流很大，一般会造成“热击穿”，不能恢复原来性能，也就是失效了。
二极管的应用范围很广，主要都是利用它的单向导电性，可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中用作开关元件等。
二极管的伏安特性
不知你问的是什么二极管
普通锗材料的二极管正常工作电流下，正向电压降在0.2 ~ 0.3V左右；硅材料整流二极管一般在0.5 ~ 0.8V间，肖特基二极管0.3 ~ 0.6V间。
小电流下压降很小，会低于上述的低电压，工作电流越大，压降越高，大电流下压降可能会超出上述的电压值。
二极管有几种折线化的伏安特性?它们分别适用于什么应用场合?
①理想二极管模型---正向时，压降为0；截止时，电流为0。
该模型通常用于防止电源反接和电路中；②恒压降模型---当二极管工作电流较大时，其两端电压为常数（通常硅管取0.7V，锗管取0.2V）。
该模型通常利用二极管做简单的稳压源或者限幅电路使用； ③交流小信号模型--若电路中除有直流电源外，还有交流小信号，则对电路进行交流分析时，二极管可等效为交流电阻 rd=26mV\\\/IDQ (IDQ为静态电流）。
该模型于检波电路。
二极管伏安特性
长江职业学院二、PN结的单向导电性1.外加正向电压(正向偏置)外电场使多子向PN结移动,IFP区外电场正偏N区内电场中和部分离子使空间电荷区变窄。
+UIF=I多子I少子I多子R反偏2.外加反向电压(反向偏置)IR外电场使少子背离PN结移动，扩散运动加强形成正向电流IF。
限流电阻P区N区空间电荷区变宽。
URPN结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大;反偏截止，电阻很大，电流近似为零。
内电场外电场IR=I少子0漂移运动加强形成反向电流IR+长江职业学院3、PN结单向导电的数学表达式玻尔兹曼常数iDIS(e反向饱和电流u\\\/UT1)UT电子电量kTq温度的电压当量当T=300(27C)：UT=26mV长江职业学院1.2二极管及其应用1.2.1二极管的结构1.2.2二极管的伏安特性1.2.3二极管的主要参数长江职业学院1.2.1半导体二极管的结构和类型构成：PN结+引线+管壳=二极管(Diode)负极符号：正极分类：硅二极管按材料分锗二极管正极引线N型锗片铝合金负极小球点接触型按结构分面接触型平面型正极引线PN结N型锗金锑合金正极负极引线引线引线PNP型支持衬底外壳触丝负极引线点接触型面接触型底座集成电路中平面型长江职业学院长江职业学院1.2.2二极管的伏安特性一、PN结的伏安方程iDIS(e反向
如何用万用表来判断二极管的好坏及其伏安特性?
一般来说（对于整流管、检波管）正向导通反向截止就是好的二极管，伏安特性则无法用万用表来判断。
