革命烈士的英雄事迹读后感200到300字，必须200到300字 谢谢
一个个革命英雄的事迹是那么动人，回忆起来，刘胡兰为中国做了多么伟大的事啊。
刘胡兰生长在山西省文水县云周西村，在反动的封建军阀阎锡山统治的黑暗年代，恶霸地主对农民进行残酷的剥削，刘胡兰的心灵里从小就种下了仇恨的种子。
红军来了，把地主吕善卿家的财物分给了穷人。
刘胡兰从红军战士孙同志讲的故事里，懂得了革命的道理。
日本鬼子占领了文水县，地主吕善卿又当上了村长。
孙同志回到这里，领导农民们建起了农会、民兵队、妇救会，刘胡兰担任了妇救会的领导。
刘胡兰在党的领导下，组织群众反扫荡，粉碎了敌人的扫荡。
刘胡兰经受了严峻的斗争考验，党组织吸收她加入了中国共产党。
1945年，日本投降，小青所在的八路军回到山西，将日本军队的武器收缴。
但蒋介石又发动了内战，小青的部队奔向了解放战争的战场。
刘胡兰带领着妇救会的姐妹们送慰问品，救护转移伤员，积极支援前线。
回到村里，她听到支部书记石德辉和几十个乡亲被反动派抓起来的消息后，勇敢地参加了营救行动，把他们救了出来。
但是，在转移的途中，刘胡兰不幸被捕。
蒋匪军和地主吕善卿对刘胡兰严刑逼供，刘胡兰坚贞不屈，表现了共产党员的高贵品质和大无畏的革命精神。
最终，刘胡兰在敌人的铡刀下英勇就义。
主席为刘胡兰题词：“生的伟大，死的光荣”。
唉，刘胡兰竟然不幸落入敌人手中。
真是“生的伟大，死的光荣”。
开学第一课每节课中总结的话是什么
用第一原理计算软件开展的工作，分析结果主要是从以下三个方面进行定性\\\/定量的讨论：1、电荷密度图（charge density）；2、能带结构（Energy Band Structure）；3、态密度（Density of States，简称DOS）。
电荷密度图是以图的形式出现在文章中，非常直观，因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式，比如差分电荷密图（def-ormation charge density）和二次差分图（difference charge density）等等，加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图（spin-polarized charge density）。
所谓“差分”是指原子组成体系（团簇）之后电荷的重新分布，“二次”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布，因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通过电荷聚集（accumulation）\\\/损失（depletion）的具体空间分布，看成键的极性强弱；通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道（这个主要是对d轨道的分析，对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过）。
分析总电荷密度图的方法类似，不过相对而言，这种图所携带的信息量较小。
能带结构分析现在在各个领域的第一原理计算工作中用得非常普遍了。
但是因为能带这个概念本身的抽象性，对于能带的分析是让初学者最感头痛的地方。
关于能带理论本身，我在这篇文章中不想涉及，这里只考虑已得到的能带，如何能从里面看出有用的信息。
首先当然可以看出这个体系是金属、半导体还是绝缘体。
判断的标准是看费米能级和导带（也即在高对称点附近近似成开口向上的抛物线形状的能带）是否相交，若相交，则为金属，否则为半导体或者绝缘体。
对于本征半导体，还可以看出是直接能隙还是间接能隙：如果导带的最低点和价带的最高点在同一个k点处，则为直接能隙，否则为间接能隙。
在具体工作中，情况要复杂得多，而且各种领域中感兴趣的方面彼此相差很大，分析不可能像上述分析一样直观和普适。
不过仍然可以总结出一些经验性的规律来。
主要有以下几点：1） 因为目前的计算大多采用超单胞（supercell）的形式，在一个单胞里有几十个原子以及上百个电子，所以得到的能带图往往在远低于费米能级处非常平坦，也非常密集。
原则上讲，这个区域的能带并不具备多大的解说\\\/阅读价值。
因此，不要被这种现象吓住，一般的工作中，我们主要关心的还是费米能级附近的能带形状。
2） 能带的宽窄在能带的分析中占据很重要的位置。
能带越宽，也即在能带图中的起伏越大，说明处于这个带中的电子有效质量越小、非局域（non-local）的程度越大、组成这条能带的原子轨道扩展性越强。
如果形状近似于抛物线形状，一般而言会被冠以类sp带（sp-like band）之名。
反之，一条比较窄的能带表明对应于这条能带的本征态主要是由局域于某个格点的原子轨道组成，这条带上的电子局域性非常强，有效质量相对较大。
3） 如果体系为掺杂的非本征半导体，注意与本征半导体的能带结构图进行对比，一般而 言在能隙处会出现一条新的、比较窄的能带。
这就是通常所谓的杂质态(doping state)，或者按照掺杂半导体的类型称为受主态或者施主态。
4） 关于自旋极化的能带，一般是画出两幅图：majority spin和minority spin。
经典的说，分别代表自旋向上和自旋向下的轨道所组成的能带结构。
注意它们在费米能级处的差异。
如果费米能级与majority spin的能带图相交而处于minority spin的能隙中，则此体系具有明显的自旋极化现象，而该体系也可称之为半金属（half metal）。
因为majority spin与费米能级相交的能带主要由杂质原子轨道组成，所以也可以此为出发点讨论杂质的磁性特征。
5） 做界面问题时，衬底材料的能带图显得非常重要，各高对称点之间有可能出现不同的情况。
具体地说，在某两点之间，费米能级与能带相交；而在另外的k的区间上，费米能级正好处在导带和价带之间。
这样，衬底材料就呈现出各项异性：对于前者，呈现金属性，而对于后者，呈现绝缘性。
因此，有的工作是通过某种材料的能带图而选择不同的面作为生长面。
具体的分析应该结合试验结果给出。
（如果我没记错的话，物理所薛其坤研究员曾经分析过$\\\\beta$-Fe的(100)和(111)面对应的能带。
有兴趣的读者可进一步查阅资料。
）原则上讲，态密度可以作为能带结构的一个可视化结果。
很多分析和能带的分析结果可以一一对应，很多术语也和能带分析相通。
但是因为它更直观，因此在结果讨论中用得比能带分析更广泛一些。
简要总结分析要点如下：1） 在整个能量区间之内分布较为平均、没有局域尖峰的DOS，对应的是类sp带，表明电子的非局域化性质很强。
相反，对于一般的过渡金属而言，d轨道的DOS一般是一个很大的尖峰，说明d电子相对比较局域，相应的能带也比较窄。
2） 从DOS图也可分析能隙特性：若费米能级处于DOS值为零的区间中，说明该体系是半导体或绝缘体；若有分波DOS跨过费米能级，则该体系是金属。
此外，可以画出分波（PDOS）和局域（LDOS）两种态密度，更加细致的研究在各点处的分波成键情况。
3） 从DOS图中还可引入“赝能隙”（pseudogap）的概念。
也即在费米能级两侧分别有两个尖峰。
而两个尖峰之间的DOS并不为零。
赝能隙直接反映了该体系成键的共价性的强弱：越宽，说明共价性越强。
如果分析的是局域态密度（LDOS），那么赝能隙反映的则是相邻两个原子成键的强弱：赝能隙越宽，说明两个原子成键越强。
上述分析的理论基础可从紧束缚理论出发得到解释：实际上，可以认为赝能隙的宽度直接和Hamiltonian矩阵的非对角元相关，彼此间成单调递增的函数关系。
4） 对于自旋极化的体系，与能带分析类似，也应该将majority spin和minority spin分别画出，若费米能级与majority的DOS相交而处于minority的DOS的能隙之中，可以说明该体系的自旋极化。
开讲啦观后感 今天晚上无意间看到了撒贝宁主持的`开讲啦` 嘉宾演讲是`濮存昕 ` 把人生说的够透
观《开讲啦》后有感 昨天晚上看了一期《开讲啦》的中国首档青年电视公开课的综艺节目，这次的开讲嘉宾是濮存昕。
濮存昕是一个北京人同样也是全国政协委员，国家一级演员，曾演过许多优秀话剧，电影，电视机，或许90后的我们没看过这个节目还不认识他，但他确是多少婆婆阿姨的心中偶像。
他影响了一代人，人们也喜欢他。
那今天就来谈谈他在《开讲啦》上面的精彩演讲
首先濮存昕老师在《开讲啦》的舞台上说了自己的小时候，他说那个时候自己有小儿麻痹症，脚也有点问题，其他的小孩子都叫他濮瘸子……濮存昕老师后来又说道他自己并不认同“人不能输在第一起跑线上”的说法，因为人的一生并不只有一条起跑线。
看着濮存昕老师的精彩演讲，我的心也不由得自己被他带了过去，带到他的精彩演讲里，仿佛自己就像坐在节目现场一样，那种身临其境。
是啊
世界上有许多很特别的孩子，他们生来就与其他孩子不同 天生就有缺陷，与其他孩子相比自己似乎就像是输在了起跑线上一样，何能做到“人不能输在第一起跑线上”一说。
只要自己能正视自己，正视自己的缺陷，看透面临的事物，积极向上，用其他自己好的方面把自己的缺陷遮掩掉，那时人们或许就会忘了你的缺陷，自己也就不会整天被一些异样的眼光看着，只有坚持不懈，持之以恒。
做好每一件事，那或许也就能活出自己精彩的人生。
我还记得濮存昕老师在舞台上说过的一句话“每一个人的成功，一定都是从不行开始，都要经过学习，锻炼，吃亏上当。
经过自己对自己的不放弃，不甘心的心理，所以我觉得第一起跑线有问题一点没事”我似乎很在意濮存昕老师有关第一起跑线的讲演，因为我觉得他说的是那么的有道理，那么的透彻，那么的具有意义。
我们都是农村来的孩子，与城市孩子相比是不是就输在第一起跑线上了呢
或许是吧，不过我们要去改变，为了自己，为了家人，为了未来。
自己做自己，生活就该被美好。
濮存昕老师在《开讲啦》上面的演讲，我不知道有没有点播我们这些年轻人，反正我是有所启发，被他的演讲所感动。
最后再用濮存昕老师的一句话结尾“生命有这么长的一个历程，或许也是一眨眼的功夫。
打个比方，人生仿佛就像是一滴水，他的源头在喜马拉雅，在高山之巅，然后他开始汇入溪流”要勇敢的活出自己精彩的人生
不忘初心 方可成功的作文素材150字
多少人曾在你生命中来了又还，可知一生有你我都陪在你身边。
”2011年，这首《一生有你》传遍了大街小巷，“水木年华”四个字也被深深地印在了人们心里。
就在这成名之时，乐队成员卢庚戌与李健发生了分歧。
卢庚戌认为乐队出名了就应该走商业化路线，而李健却觉得应该不忘初心，保持音乐的纯洁性，所以不应该过度发掘乐队的商业价值。
于是，李健在当红之时选择了退出乐队，抱着一颗初心制作音乐，从此，他的人生如歌，谱出一段段优美的旋律，他的《贝加尔湖》、《在水一方》被广为传唱。
我选择不忘初心。
DOS和band带隙不一致，是什么问题
MS计算能带图分析能带图的横坐标是在模型对称性基础上取的K点。
为什么要取K点呢
因为晶体的周期性使得薛定谔方程的解也具有了周期性。
按照对称性取K点，可以保证以最小的计算量获得最全的能量特征解。
能带图横坐标是K点，其实就是倒格空间中的几何点。
其中最重要也最简单的就是gamma那个点，因为这个点在任何几何结构中都具有对称性，所以在castep里，有个最简单的K点选择，就是那个gamma选项。
纵坐标是能量。
那么能带图应该就是表示了研究体系中，各个具有对称性位置的点的能量。
我们所得到的体系总能量，应该就是整个体系各个点能量的加和。
记得氢原子的能量线吧
能带图中的能量带就像是氢原子中的每条能量线都拉宽为一个带。
通过能带图，能把价带和导带看出来。
在castep里，分析能带结构的时候给定scissors这个选项某个值，就可以加大价带和导带之间的空隙，把绝缘体的价带和导带清楚地区分出来。
DOS叫态密度，也就是体系各个状态的密度，各个能量状态的密度。
从DOS图也可以清晰地看出带隙、价带、导带的位置。
要理解DOS，需要将能带图和DOS结合起来。
分析的时候，如果选择了full，就会把体系的总态密度显示出来，如果选择了PDOS，就可以分别把体系的s、p、d、f状态的态密度分别显示出来。
还有一点要注意的是，如果在分析的时候你选择了单个原子，那么显示出来的就是这个原子的态密度。
否则显示的就是整个体系原子的态密度。
要把周期性结构能量由于微扰裂分成各个能带这个概念印在脑袋里。
最后还有一点，这里所有的能带图和DOS的讨论都是针对体系中的所有电子展开的。
研究的是体系中所有电子的能量状态。
根据量子力学假设，由于原子核的质量远远大于电子，因此奥本海默假设原子核是静止不动的，电子围绕原子核以某一概率在某个时刻出现。
我们经常提到的总能量，就是体系电子的总能量。
这些是我看书的体会，不一定准确，大家多多批评啊
摘要：本文总结了对于第一原理计算工作的结果分析的三个重要方面，以及各自的若干要点用第一原理计算软件开展的工作，分析结果主要是从以下三个方面进行定性\\\/定量的讨论：1、电荷密度图（charge density）；2、能带结构（Energy Band Structure）；3、态密度（Density of States，简称DOS）。
电荷密度图是以图的形式出现在文章中，非常直观，因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式，比如差分电荷密图（def-ormation charge density）和二次差分图（difference charge density）等等，加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图（spin-polarized charge density）。
所谓“差分”是指原子组成体系（团簇）之后电荷的重新分布，“二次”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布，因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通过电荷聚集（accumulation）\\\/损失（depletion）的具体空间分布，看成键的极性强弱；通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道（这个主要是对d轨道的分析，对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过）。
分析总电荷密度图的方法类似，不过相对而言，这种图所携带的信息量较小。
能带结构分析现在在各个领域的第一原理计算工作中用得非常普遍了。
但是因为能带这个概念本身的抽象性，对于能带的分析是让初学者最感头痛的地方。
关于能带理论本身，我在这篇文章中不想涉及，这里只考虑已得到的能带，如何能从里面看出有用的信息。
首先当然可以看出这个体系是金属、半导体还是绝缘体。
判断的标准是看费米能级和导带（也即在高对称点附近近似成开口向上的抛物线形状的能带）是否相交，若相交，则为金属，否则为半导体或者绝缘体。
对于本征半导体，还可以看出是直接能隙还是间接能隙：如果导带的最低点和价带的最高点在同一个k点处，则为直接能隙，否则为间接能隙。
在具体工作中，情况要复杂得多，而且各种领域中感兴趣的方面彼此相差很大，分析不可能像上述分析一样直观和普适。
不过仍然可以总结出一些经验性的规律来。
主要有以下几点：1）因为目前的计算大多采用超单胞（supercell）的形式，在一个单胞里有几十个原子以及上百个电子，所以得到的能带图往往在远低于费米能级处非常平坦，也非常密集。
原则上讲，这个区域的能带并不具备多大的解说\\\/阅读价值。
因此，不要被这种现象吓住，一般的工作中，我们主要关心的还是费米能级附近的能带形状。
2）能带的宽窄在能带的分析中占据很重要的位置。
能带越宽，也即在能带图中的起伏越大，说明处于这个带中的电子有效质量越小、非局域（non-local）的程度越大、组成这条能带的原子轨道扩展性越强。
如果形状近似于抛物线形状，一般而言会被冠以类sp带（sp-like band）之名。
反之，一条比较窄的能带表明对应于这条能带的本征态主要是由局域于某个格点的原子轨道组成，这条带上的电子局域性非常强，有效质量相对较大。
3）如果体系为掺杂的非本征半导体，注意与本征半导体的能带结构图进行对比，一般而言在能隙处会出现一条新的、比较窄的能带。
这就是通常所谓的杂质态(doping state)，或者按照掺杂半导体的类型称为受主态或者施主态。
4）关于自旋极化的能带，一般是画出两幅图：majority spin和minority spin。
经典的说，分别代表自旋向上和自旋向下的轨道所组成的能带结构。
注意它们在费米能级处的差异。
如果费米能级与majority spin的能带图相交而处于minority spin的能隙中，则此体系具有明显的自旋极化现象，而该体系也可称之为半金属（half metal）。
因为majority spin与费米能级相交的能带主要由杂质原子轨道组成，所以也可以此为出发点讨论杂质的磁性特征。
5）做界面问题时，衬底材料的能带图显得非常重要，各高对称点之间有可能出现不同的情况。
具体地说，在某两点之间，费米能级与能带相交；而在另外的k的区间上，费米能级正好处在导带和价带之间。
这样，衬底材料就呈现出各项异性：对于前者，呈现金属性，而对于后者，呈现绝缘性。
因此，有的工作是通过某种材料的能带图而选择不同的面作为生长面。
具体的分析应该结合试验结果给出。
（如果我没记错的话，物理所薛其坤研究员曾经分析过$\\\\beta$-Fe的(100)和(111)面对应的能带。
有兴趣的读者可进一步查阅资料。
）原则上讲，态密度可以作为能带结构的一个可视化结果。
很多分析和能带的分析结果可以一一对应，很多术语也和能带分析相通。
但是因为它更直观，因此在结果讨论中用得比能带分析更广泛一些。
简要总结分析要点如下：1）在整个能量区间之内分布较为平均、没有局域尖峰的DOS，对应的是类sp带，表明电子的非局域化性质很强。
相反，对于一般的过渡金属而言，d轨道的DOS一般是一个很大的尖峰，说明d电子相对比较局域，相应的能带也比较窄。
2）从DOS图也可分析能隙特性：若费米能级处于DOS值为零的区间中，说明该体系是半导体或绝缘体；若有分波DOS跨过费米能级，则该体系是金属。
此外，可以画出分波（PDOS）和局域（LDOS）两种态密度，更加细致的研究在各点处的分波成键情况。
3）从DOS图中还可引入“赝能隙”（pseudogap）的概念。
也即在费米能级两侧分别有两个尖峰。
而两个尖峰之间的DOS并不为零。
赝能隙直接反映了该体系成键的共价性的强弱：越宽，说明共价性越强。
如果分析的是局域态密度（LDOS），那么赝能隙反映的则是相邻两个原子成键的强弱：赝能隙越宽，说明两个原子成键越强。
上述分析的理论基础可从紧束缚理论出发得到解释：实际上，可以认为赝能隙的宽度直接和Hamiltonian矩阵的非对角元相关，彼此间成单调递增的函数关系。
4）对于自旋极化的体系，与能带分析类似，也应该将majority spin和minority spin分别画出，若费米能级与majority的DOS相交而处于minority的DOS的能隙之中，可以说明该体系的自旋极化。
5）考虑LDOS，如果相邻原子的LDOS在同一个能量上同时出现了尖峰，则我们将其称之为杂化峰（hybridized peak），这个概念直观地向我们展示了相邻原子之间的作用强弱。
以上是本人基于文献调研所总结的一些关于第一原理工作的结果分析要点。
期冀能对刚进入这个领域内的科研工作者有所启发。
受本人的水平所限，文章的内容可能会有理论上的不足甚至错误之处，希望大家指出，共同发展第一原理计算物理的方法和研究内容。
smering是什么意思我个人的理解是这样的：由于金属的能带有可能穿越fermi能级，从而引起总能计算时的不连续变化（这个我不知道为什么
）。
为了避免这种情况，需要引入分数的占据态。
在castep中0k下的计算，是将单电子能级采用Gaussian函数展宽，展开宽度就是smearing width。
然而，由于展宽了单电子能级相当于增加了有限的温度，所以必须修正以得到0k下的结果。
另外，smearing的另一个作用是可以增加总能计算的收敛性。
参考资料：
